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一种用于安装弧形光纤的硅V槽阵列的加工方法
申请人信息
- 申请人:广东工业大学
- 申请人地址:510062 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 发明人: 广东工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种用于安装弧形光纤的硅V槽阵列的加工方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311794732.8 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117761828A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | G02B6/02 |
| 权利人 | 广东工业大学 |
| 发明人 | 陈云; 吴文轩; 侯茂祥; 张子超; 梁传嶍; 马莉; 陈新 |
| 地址 | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
摘要文本
本发明提供了一种用于安装弧形光纤的硅V槽阵列的加工方法，包括：S1，提供一硅片晶圆，并对所述硅片晶圆进行清洗并烘干；S2，在烘干后的所述硅片晶圆表面制备出不同宽度的氮化硅掩膜图案形成目标硅片晶圆；S3，将所述目标硅片晶圆浸泡在氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中进行碱性湿法刻蚀形成带有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆；S4，去除所述带有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆表面的多余杂质，并依次对去除多余杂质的所述有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆进行离心洗涤和真空干燥。本发明通过设计出不同宽度的掩膜图案来控制V槽阵列的开口大小，以此加工出深度不一致的V槽通道，进而实现光纤阵列在Z轴方向呈弧形分布。
专利主权项内容
1.一种用于安装弧形光纤的硅V槽阵列的加工方法，其特征在于，所述方法包括：S1，提供一硅片晶圆，并对所述硅片晶圆进行清洗并烘干；S2，在烘干后的所述硅片晶圆依次通过低压化学气相沉积、旋涂光刻胶、显影曝光和干法刻蚀制备出不同宽度的氮化硅掩膜图案形成目标硅片晶圆；S3，将所述目标硅片晶圆浸泡在氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中进行碱性湿法刻蚀形成带有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆；S4，去除所述带有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆表面的多余杂质，并依次对去除多余杂质的所述有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆进行离心洗涤和真空干燥。