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一种功率模块的封装方法

申请号: CN202311849428.9
申请人: 广东巨风半导体有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种功率模块的封装方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202311849428.9
申请日 2023/12/29
公告号 CN117497426B
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 H01L21/50
权利人 广东巨风半导体有限公司
发明人 王敬; 龚秀友; 王春雷; 师照杰; 青建国
地址 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之873

摘要文本

本发明提供了一种功率模块的封装方法,具体包括如下步骤:步骤一、将铜底板上料;步骤二、对铜底板进行印刷,将第一锡膏放置到铜底板上表面预定的位置;步骤三、将DBC板上料,并粘在第一锡膏上;步骤四、对DBC板进行印刷,将第二锡膏放置到DBC板的上表面的预定位置;步骤五、将芯片放置到预定的第二锡膏上;步骤六、将步骤五得到的产品加热,使第一锡膏和第二锡膏熔化;步骤七、冷却,并将得到的产品下料;在执行步骤二之前,采用激光对铜底板上的部分区域进行镭射以使镭射区域产生氧化,镭射区域对应DBC板在铜底板放置区域的四周位置。 更多数据:

专利主权项内容

1.一种功率模块的封装方法,所述功率模块包括铜底板、通过焊锡焊到铜底板的上表面上的DBC板以及通过焊锡焊到DBC板上的芯片,铜底板的沿长度方向的两端向上翘起,所述封装方法具体包括如下步骤:步骤一、将铜底板上料;步骤二、对铜底板进行印刷,将第一锡膏放置到铜底板上表面预定的位置;步骤三、将DBC板上料,并粘在第一锡膏上;步骤四、对DBC板进行印刷,将第二锡膏放置到DBC板的上表面的预定位置;步骤五、将芯片放置到预定的第二锡膏上;步骤六、将步骤五得到的产品加热,使第一锡膏和第二锡膏熔化;步骤七、冷却,并将得到的产品下料;其特征在于,在执行步骤二之前,采用激光对铜底板上的部分区域进行镭射以使镭射区域产生氧化,镭射区域对应DBC板在铜底板放置区域的四周位置;当DBC板为长方形时,所述镭射区域位于所述铜底板的对应于DBC版的四个角的位置处,并且对应于DBC板的每个长边以及宽边均有镭射区域,并且同一DBC板的镭射区域不连续,对应于每个角的镭射区域呈L型,L型的两条边分别与DBC板的对应的两条边相吻合;步骤一-步骤七同时进行。 (更多数据,详见马克数据网)