一种高驱动能力的MOSFET器件及其驱动电路

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深圳市冠禹半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种高驱动能力的MOSFET器件，包括：源极、栅极、P型沟道、P屏蔽层、P型基区、P型半导体区域、N型半导体区域、导电衬底层、N型漂移层和漏极；源极与P型基区电气连接，P型基区通过P型半导体区域、N型半导体区域形成PN结构；栅极位于器件顶部，通过绝缘氧化物层与P型沟道隔离，P型沟道位于栅极下方，与源极相连；P屏蔽层位于P型沟道下方，电气连接于P型沟道，以增强器件的场效应控制能力；N型漂移层位于器件底部，与漏极相连，用于支持高电压操作并降低导通损耗。通过P+屏蔽层电位可调的MOSFET器件，P+屏蔽层电位的自动调整，既能显著降低氧化层电场又能够保证较低的导通电阻。