一种高可靠性车规级SiC MOSFET器件及制备方法

专利主权项内容

1.一种高可靠性车规级SiC MOSFET器件，其特征在于，包括：碳化硅衬底(1)，碳化硅衬底(1)下表面设置漏极金属层(2)，碳化硅衬底(1)上表面设置漂移层(3)，漂移层(3)上设置沟槽(4)，沟槽(4)内设置掩蔽层(5)及导电区(6)，掩蔽层(5)中心开设凹槽，导电区(6)设置在掩蔽层(5)一侧上表面，漂移层(3)上表面设置夹断层(7)，夹断层(7)内设置栅极绝缘层(8)，栅极绝缘层(8)下端延伸至凹槽内，栅极绝缘层(8)内设置栅极(9)，栅极绝缘层(8)底部与凹槽内壁连接，栅极绝缘层(8)侧壁与导电区(6)连接，夹断层(7)上设置源区(10)，源区(10)侧面与栅极绝缘层(8)侧壁连接，源区(10)上设置源极金属层(11)，源极金属层(11)与源区(10)上表面、夹断层(7)上表面连接，栅极(9)上表面设置栅极金属层(12)。