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单晶金刚石外延片及其制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳平湖实验室
- 申请人地址:518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋
- 发明人: 深圳平湖实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 单晶金刚石外延片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311636178.0 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117535793A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | C30B29/04 |
| 权利人 | 深圳平湖实验室 |
| 发明人 | 崔新春; 万玉喜; 胡浩林; 曾威 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋 |
摘要文本
深圳平湖实验室取得“一种透气窗帘布”专利技术，本公开提供了一种单晶金刚石外延片及其制备方法、金刚石外延层生长用基片及单晶金刚石基板的制备方法，涉及半导体材料技术领域，旨在解决现有的单晶金刚石基板杂质多且表面粗糙度高的问题。单晶金刚石外延片包括：籽晶层和生长于所述籽晶层上的至少一组叠层结构，所述叠层结构包括：沿第一方向层叠设置的掺杂层和外延层，所述掺杂层的材料为包含第一杂质的单晶金刚石，所述第一杂质在所述掺杂层中是替位式杂质，所述外延层的材料包括单晶金刚石；其中，所述第一方向为垂直于所述籽晶层且远离所述籽晶层的方向。上述单晶金刚石外延片用于制备的单晶金刚石基板。 专利查询网
专利主权项内容
1.一种单晶金刚石外延片，其特征在于，包括：籽晶层；生长于所述籽晶层上的至少一组叠层结构，所述叠层结构包括：沿第一方向层叠设置的掺杂层和外延层，所述掺杂层的材料为包含第一杂质的单晶金刚石，所述第一杂质在所述掺杂层中是替位式杂质，所述外延层的材料包括单晶金刚石；其中，所述第一方向为垂直于所述籽晶层且远离所述籽晶层的方向。