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一种碳化硅晶体管、其制作方法及电子设备
申请人信息
- 申请人:深圳平湖实验室
- 申请人地址:518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋
- 发明人: 深圳平湖实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅晶体管、其制作方法及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311485560.6 |
| 申请日 | 2023/11/8 |
| 公告号 | CN117637846A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳平湖实验室 |
| 发明人 | 支海朝; 万玉喜; 曾威; 胡浩林 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋 |
摘要文本
深圳平湖实验室取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种碳化硅晶体管、其制作方法及电子设备，在设于衬底表面的碳化硅层中设置有栅极沟槽，该栅极沟槽的侧壁为{0‑33‑8}晶面族和{01‑1‑4}晶面族之一，且均包含沟道区，由于{0‑33‑8}晶面族和{01‑1‑4}晶面族的面缺陷密度较低，因此对应的沟道区迁移率较高，从而提高了碳化硅晶体管的性能；在栅极沟槽两侧各刻蚀一个保护沟槽，每个保护沟槽下方均设置有第一P+掺杂层，通过保护沟槽和第一P+掺杂层的设置，可以降低栅极沟槽底部的栅极绝缘层的电场强度，降低栅极绝缘层被击穿的概率，从而提高了碳化硅晶体管的可靠性。
专利主权项内容
1.一种碳化硅晶体管，其特征在于，包括：衬底、以及位于所述衬底之上的碳化硅层；所述碳化硅层中设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽具有侧壁，所述侧壁在六方晶系的情况下均属于{0-33-8}晶面族和{01-1-4}晶面族之一，所述侧壁包括沟道区，所述侧壁相对于所述衬底表面的倾斜角大于0°；所述栅极沟槽两侧分别设置有保护沟槽，每个所述保护沟槽与所述衬底之间均设置有第一P+掺杂层。