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存储芯片老化测试的监控方法及系统
申请人信息
- 申请人:深圳超盈智能科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区中浩路1号美竹巷润昌工业园厂区厂房A栋五层
- 发明人: 深圳超盈智能科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 存储芯片老化测试的监控方法及系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311448439.6 |
| 申请日 | 2023/11/2 |
| 公告号 | CN117373524A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | G11C29/08 |
| 权利人 | 深圳超盈智能科技有限公司 |
| 发明人 | 夏俊杰 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区坂田街道象角塘社区中浩路1号美竹巷润昌工业园厂区厂房A栋五层 |
摘要文本
深圳超盈智能科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请涉及芯片技术领域，提供了一种存储芯片老化测试的监控方法及系统，该方法通过在测试时间段内，通过预设的参数检测装置实时获取置于预设的老化测试环境中的存储芯片的属性参数信息和电学参数信息，并基于所述属性参数信息和所述电学参数信息分析所述存储芯片是否通过老化测试。该方法实现了在对所述存储芯片进行老化测试时，对所述老化芯片的各项参数的变化进行全面的监控，提高了存储芯片老化测试的精度。
专利主权项内容
1.一种存储芯片老化测试的监控方法，其特征在于，包括：在测试时间段内，通过预设的参数检测装置实时获取置于预设的老化测试环境中的存储芯片的参数信息；其中，所述参数信息包括所述存储芯片的属性参数信息和电学参数信息，所述属性参数信息包括所述存储芯片的各个属性参数在所述测试时间段内的测试值，所述电学参数信息包括所述存储芯片的各个电学参数在所述测试时间段内的测试值；基于所述属性参数信息获取各个所述属性参数的受干扰系数，并基于所述电学参数信息获取各个所述电学参数的受干扰系数；基于各个所述属性参数的受干扰系数和各个所述电学参数的受干扰系数计算所述属性参数信息的受干扰权重和所述电学参数信息的受干扰权重；基于所述属性参数信息获取属性参数稳定性因子，并基于所述电学参数信息获取电学参数稳定性因子；基于所述属性参数信息的受干扰权重、所述电学参数信息的受干扰权重、所述属性参数稳定性因子和所述电学参数稳定性因子判断所述存储芯片是否通过老化测试。