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半导体器件的制作方法及半导体器件
申请人信息
- 申请人:深圳市昇维旭技术有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104
- 发明人: 深圳市昇维旭技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件的制作方法及半导体器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311535788.1 |
| 申请日 | 2023/11/16 |
| 公告号 | CN117524880A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 深圳市昇维旭技术有限公司 |
| 发明人 | 李志勇; 余阳城; 孙科 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104 |
摘要文本
深圳市昇维旭技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件，包括：制作第一晶圆，第一晶圆包括基础层和目标结构层，基础层的第一侧设有容置槽，目标结构层部分或全部位于容置槽内；根据目标结构层的上表面相对于第一侧的高度，将目标结构层分为正常区和偏离区；根据第一晶圆上偏离区的高度相对于正常区的高度的偏差，对应设计第二晶圆上对应偏离区的容置槽的容积；制作第二晶圆，至少第二晶圆的目标结构层的部分和第一晶圆的目标结构层的部分采用相同的工艺条件制作而成。通过增大或减小第二晶圆上容置槽的容积，可控制目标结构层的上表面高度，提高了目标结构层的膜层厚度一致性，提高了半导体器件的良率。 详见官网：
专利主权项内容
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：制作第一晶圆，所述第一晶圆包括晶体管，所述晶体管包括基础层以及形成在所述基础层一侧的目标结构层，所述基础层的第一侧设有容置槽，所述目标结构层部分或全部位于所述容置槽内；根据所述目标结构层的上表面相对于所述第一侧的高度，将所述目标结构层分为正常区和偏离区，所述偏离区的高度大于或小于所述正常区的高度；根据所述第一晶圆上所述偏离区的高度相对于所述正常区的高度的偏差，对应设计第二晶圆上对应所述偏离区的所述容置槽的容积；制作所述第二晶圆，至少所述第二晶圆的目标结构层的部分和所述第一晶圆的目标结构层的部分采用相同的工艺条件制作而成。