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一种沟槽型场效应晶体管及其制备方法
摘要文本
深圳芯能半导体技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种沟槽型场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，该所述沟槽型场效应晶体管包括：衬底层；外延层；第一体区；第二体区；第一沟槽；第二沟槽；第一源区；第二源区。本发明通过预设第一体区、第二体区的深度，使第二体区的深度小于所述第一体区的深度，得到相较于第一体区来说体区深度较浅的第二体区，降低了体区的长度，进而降低了二极管开启的阈值电压，从而以较低的阈值电压开启了体二极管，实现了降低反向续流功耗。
专利主权项内容
1.一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底层；第一导电类型的外延层，所述外延层位于所述衬底层上；第二导电类型的第一体区，所述第一体区位于所述外延层上；第二导电类型的第二体区，所述第二体区位于所述外延层上，所述第一体区和所述第二体区相邻，所述第二体区的深度小于所述第一体区的深度；第一沟槽，所述第一沟槽沿深度方向贯穿所述第一体区，并延伸至所述外延层内部，所述第一沟槽中设置有第一栅极结构；第二沟槽，所述第二沟槽沿深度方向贯穿所述第二体区，并延伸至所述外延层内部，所述第二沟槽中设置有第二栅极结构；第一导电类型的第一源区，所述第一源区位于所述第一体区上；第一导电类型的第二源区，所述第二源区位于所述第二体区上。。
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种沟槽型场效应晶体管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311550132.7 |
| 申请日 | 2023/11/16 |
| 公告号 | CN117594658A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 发明人 | 马献; 刘杰 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301 |