一种半导体加工用高精度共晶设备及其共晶加工方法

专利主权项内容

1.一种半导体加工用高精度共晶设备，包括固晶焊头组(1)和真空共晶器(11)，所述真空共晶器(11)安装在固晶焊头组(1)上，所述真空共晶器(11)的内部设有固晶座(2)和顶板(3)，其特征在于：所述顶板(3)下方设有压板(4)，所述压板(4)的底部安装有晶粒板(41)，所述固晶座(2)内设置有基板(44)，所述晶粒板(41)上设有晶粒(42)，所述晶粒(42)与基板(44)上的焊接点位之间设置有接触镀材(43)和金属焊材(45)；所述固晶座(2)的内部边缘与基板(44)之间形成有设有抽气缝(21)，所述固晶座(2)的底部开设有通孔(22)；所述固晶座(2)内壁对应基板(44)上边缘位置的焊接点位的位置处设置有顶块组件(6)，所述顶块组件(6)包括活动顶块(62)，所述活动顶块(62)滑动安装在固晶座(2)的内壁中，抽真空完毕后，所述活动顶块(62)滑动至基板(44)边缘与基板(44)贴合；所述固晶座(2)的内部开设有气腔(23)和顶块槽(27)，且顶块槽(27)设于气腔(23)靠近抽气缝(21)的一侧，所述固晶座(2)的底部开设有连孔(28)，所述气腔(23)与连孔(28)之间连通；所述顶块组件(6)还包括活塞片(61)，所述活塞片(61)固定设于活动顶块(62)的一端，所述活塞片(61)滑动设于气腔(23)的内部，所述活动顶块(62)滑动设于顶块槽(27)的内部，所述活动顶块(62)靠近抽气缝(21)的一侧设有挡片(63)和适配槽(64)，所述适配槽(64)的形状与基板(44)的边缘形状相适配，所述气腔(23)的内部填充有气体。