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一种沟槽器件终端及其栅极结构制备方法

申请号: CN202311718020.8
申请人: 深圳芯能半导体技术有限公司
更新日期: 2026-03-09

摘要文本

深圳芯能半导体技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种沟槽器件终端及其栅极结构制备方法,属于半导体技术领域。本发明通过在第一衬底层上依次形成环形沟槽结构、栅极结构,在形成转角区域和非转角区域的栅极结构之后,使转角区域内的栅极结构之间的沟槽间距等于非转角区域内的栅极结构的沟槽间距,最终得到沟槽终端上拐角处的沟槽间距与水平和竖直方向的沟槽间距相等,消除沟槽器件的薄弱点,提高了器件的可靠性。 (来 自 专利查询网)

专利主权项内容

1.一种沟槽器件终端的栅极结构制备方法,其特征在于,包括:提供第一导电类型的第一衬底层;在所述第一衬底层表面向内刻蚀形成环形沟槽结构,所述环形沟槽结构的转角区域的沟槽宽度为第一宽度、所述环形沟槽结构的非转角区域的沟槽宽度为第二宽度,所述第一宽度小于或大于所述第二宽度;形成位于所述环形沟槽结构外壁上的第一介质层;形成位于所述第一介质层上的第一栅极,形成所述转角区域和非转角区域的栅极结构。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种沟槽器件终端及其栅极结构制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311718020.8
申请日 2023/12/13
公告号 CN117711929A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 H01L21/28
权利人 深圳芯能半导体技术有限公司
发明人 马献; 刘杰
地址 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301