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一种单边控制的存内计算电路及存储器

申请号: CN202311841634.5
申请人: 中科南京智能技术研究院
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种单边控制的存内计算电路及存储器
专利类型 发明申请
申请号 CN202311841634.5
申请日 2023/12/28
公告号 CN117708042A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 G06F15/78
权利人 中科南京智能技术研究院
发明人 游恒; 詹子骁; 尚德龙; 周玉梅
地址 江苏省南京市江宁区创研路266号麒麟人工智能产业园8栋8层

摘要文本

中科南京智能技术研究院取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种单边控制的存内计算电路及存储器,涉及人工智能技术领域,存内计算电路包括存储电路、第一读写电路和第二读写电路,第一读写电路分别连接第一字线、第一位线和存储电路的第一存储端,第二读写电路分别连接第二字线、第二位线和存储电路的第二存储端。读取数据时,当存储电路的第一存储端的数据为高电平信号,以及第二存储端的数据为低电平信号时,则第一位线和存储电路的第一存储端连接,第二位线和存储电路的第二存储端断开;当存储电路的第一存储端的数据为低电平信号,以及第二存储端的数据为高电平信号时,则第一位线和存储电路的第一存储端断开,第二位线和存储电路的第二存储端连接。本申请采用单边读取,减小了功耗损失。

专利主权项内容

1.一种单边控制的存内计算电路,其特征在于,所述存内计算电路包括:存储电路,所述存储电路用于存储数据;第一读写电路和第二读写电路,所述第一读写电路分别连接第一字线、第一位线和所述存储电路的第一存储端,所述第一读写电路用于向所述存储电路的第一存储端读取或写入数据,所述第二读写电路分别连接第二字线、第二位线和所述存储电路的第二存储端,所述第二读写电路用于向所述存储电路的第二存储端读取或写入数据;当所述存储电路的第一存储端的数据为高电平信号时,则所述存储电路的第二存储端的数据为低电平信号,当所述存储电路的第一存储端的数据为低电平信号时,则所述存储电路的第二存储端的数据为高电平信号;读取数据时,当所述存储电路的第一存储端的数据为高电平信号,以及所述存储电路的第二存储端的数据为低电平信号时,则所述第一读写电路控制所述第一位线和所述存储电路的第一存储端连接,所述第二读写电路控制所述第二位线和所述存储电路的第二存储端断开;当所述存储电路的第一存储端的数据为低电平信号,以及所述存储电路的第二存储端的数据为高电平信号时,则所述第一读写电路控制所述第一位线和所述存储电路的第一存储端断开,所述第二读写电路控制所述第二位线和所述存储电路的第二存储端连接。