宽频带双极化1bit超材料单元结构

专利主权项内容

1.一种宽频带双极化1bit超材料单元结构，其特征在于：包括第一介质基板和第二介质基板，所述第一介质基板的上下表面分别设有第一金属层和第二金属层，所述第二介质基板的上表面设有第三金属层，所述第一介质基板与第二介质基板按上下位置通过半固化片粘接形成单元整体，所述单元整体设有贯穿的三个金属化过孔，其中：所述第一金属层为单元表面层，通过蚀刻形成有中心方形金属贴片和两个侧矩形金属贴片，所述两个侧矩形金属贴片与中心方形金属贴片的两个直角边分别平行且居中设置，所述两个侧矩形金属贴片与中心方形金属贴片之间存在缝隙，该缝隙之间分别通过焊接PIN二极管将两个金属贴片连接；靠近所述中心方形金属贴片另外两个直角边内蚀刻有两直角边分别与该中心方形金属贴片的该两个直角边平行的直角三角形空缺；两个所述金属化过孔分别设在两个侧矩形金属贴片的外侧中心处，且外围蚀刻有半圆金属圆盘；另一个金属化过孔设在中心方形金属贴片的中心处；所述第二金属层为单元地层，设有与金属化过孔对应的圆环空缺；所述第三金属层为偏置电路层，包括三个偏置电路，所述偏置电路通过金属化过孔分别与第一金属层上对应的中心方形金属贴片和两个侧矩形金属贴片电连接。