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提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法
申请人信息
- 申请人:南京邮电大学; 南京邮电大学南通研究院有限公司
- 申请人地址:226000 江苏省南通市崇川区新康路33号云院9、10幢
- 发明人: 南京邮电大学; 南京邮电大学南通研究院有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311428545.8 |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117614432A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H03K17/687 |
| 权利人 | 南京邮电大学; 南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 发明人 | 李曼; 刘安琪; 郭宇锋; 姚佳飞; 张珺; 杨可萌; 陈静; 张茂林 |
| 地址 | 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号; 江苏省南通市港闸区新康路33号 |
摘要文本
本发明提出了一种提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法，该系统包括体硅LDMOS，包括栅极金属及背栅金属；动态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生器、三电平逆变器、负电压转换器及电平转换器；负电压转换器包括负电压输出端和零电压输出端；负电压输出端连接电平转换器的第一输入端，零电压输出端连接电平转换器的第二输入端并接地；电平转换器的第一输出端连接栅极金属，其第二输出端连接背栅金属。本发明具有独立的背栅电极，通过在衍生的背栅电极上施加偏置，诱导界面电荷，调制外延层的电场分布，增加体内漏电端的电场，使其提高击穿电压，又因其漂移区采用重掺杂而具有低的比导通电阻，改进了两者之间的折中关系。
专利主权项内容
1.一种提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统，其特征在于，包括：体硅LDMOS，包括栅极金属(13)及背栅金属(14)；动态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生器(15)、三电平逆变器(16)、负电压转换器(17)及电平转换器(18)；其中，所述负电压转换器(17)包括负电压输出端和零电压输出端；所述电平转换器(18)包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端；所述负电压输出端连接电平转换器(18)的第一输入端，零电压输出端连接电平转换器(18)的第二输入端并接地；所述电平转换器(18)的第一输出端连接栅极金属(13)，其第二输出端连接背栅金属(14)；根据电平转换器(18)的第一输出端施加在栅极(13)上的电压大小，电平转换器(18)的第二输出端施加零电压或者负电压于背栅金属(14)。。来源：马 克 数 据 网