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一种钝化接触结构、多晶硅钝化接触电池及制备方法
申请人信息
- 申请人:江苏林洋太阳能有限公司
- 申请人地址:226000 江苏省南通市开发区广州路42号552室
- 发明人: 江苏林洋太阳能有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种钝化接触结构、多晶硅钝化接触电池及制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311810218.9 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117497643B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 江苏林洋太阳能有限公司 |
| 发明人 | 沈东东; 王熠恒; 张颖; 刘金鑫; 施毅; 王玲 |
| 地址 | 江苏省南通市开发区广州路42号552室 |
摘要文本
本发明公开了一种钝化接触结构、多晶硅钝化接触电池及制备方法，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可以避免金属电极形成“金属穿刺”，相比于常规的结构，降低了金属接触区域的复合，可以提高开路电压；相比于常规结构中整面的隧穿氧化层，背面第二氧化层为局域的隧穿氧化层，虽然面积占比降低，但对于载流子的收集影响较小，仅会导致填充因子的略微降低，进而可以用于多晶硅钝化接触电池中，将使电池具有更高的转换效率。
专利主权项内容
1.一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：提供一硅片，该硅片的背表面包括金属接触区域和非金属接触区域，所述金属接触区域由第一区域、设置在所述第一区域的周侧的第二区域构成；在所述第一区域设置第一氧化层，在所述第二区域设置第二氧化层；其中，所述第二氧化层为隧穿氧化层，所述第一氧化层的材质与所述隧穿氧化层的材质不同，且所述第一氧化层的密实度大于所述隧穿氧化层的密实度，所述第一氧化层的厚度大于所述隧穿氧化层的厚度；在所述第一氧化层与所述隧穿氧化层上设置磷掺杂晶硅层，该磷掺杂晶硅层包含多硅晶相、非晶硅相和微晶硅相；进行退火处理，所述磷掺杂晶硅层转化为磷掺杂多晶硅层。