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一种具有应力释放层的LED外延结构及其生长方法
申请人信息
- 申请人:聚灿光电科技(宿迁)有限公司
- 申请人地址:223800 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧
- 发明人: 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有应力释放层的LED外延结构及其生长方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311844706.1 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117650210A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L33/12 |
| 权利人 | 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 |
| 发明人 | 徐洋洋; 程虎; 江汉; 徐志军; 黎国昌; 王文君; 苑树伟; 包宜征 |
| 地址 | 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧 |
摘要文本
本发明公开了一种具有应力释放层的LED外延结构，包括衬底、以及依次生长于衬底之上的缓冲层、UGaN层、NGaN层、应力释放层、MQW层、EBL层和P层，所述应力释放层是由自下而上依次生长的InGaN层、停顿层和GaN盖帽层重复交叠组成的周期性复合层。本LED外延结构的生长方法使应力释放层中InGaN/停顿层/GaN结构循环生长，利用停顿层高温烘烤InGaN层，使In析出或者逃逸形成空位pits，进一步阻断底层衍生的位错，生成多层叠加Pits，有利于应力释放，提升上层晶格质量，且电流扩散效果好、利于大电流通过，从而提升光效。 该数据由<专利查询网>整理
专利主权项内容
1.一种具有应力释放层的LED外延结构，其特征在于：包括衬底、以及依次生长于衬底之上的缓冲层、UGaN层、NGaN层、应力释放层、MQW层、EBL层和P层，所述应力释放层是由自下而上依次生长的InGaN层、停顿层和GaN盖帽层重复交叠组成的周期性复合层。