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一种叠瓦电池及低折背膜与金属化工艺

申请号: CN202311538540.0
申请人: 江苏龙恒新能源有限公司
更新日期: 2026-03-10

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种叠瓦电池及低折背膜与金属化工艺
专利类型 发明申请
申请号 CN202311538540.0
申请日 2023/11/17
公告号 CN117637910A
公开日 2024/3/1
IPC主分类号 H01L31/18
权利人 江苏龙恒新能源有限公司
发明人 魏小席; 赵刚; 陈实; 张宇航; 赵杰; 张洲; 李旭; 任开绪; 丰平; 许加静
地址 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区上海路1299号

摘要文本

本发明公开了一种叠瓦电池及低折背膜与金属化工艺,包括由内到外依次设置的氮氧化硅层、第一硅氮层、第二硅氮层、第三硅氮层,在反应炉中通入SiH4、NH3,反应时间190‑210s,生成硅氮比为1 : 4.6‑4.9的第一硅氮层,在反应炉中通入SiH4、NH3,反应时间140‑160s,生成硅氮比为1 : 8.9‑9.1的第二硅氮层,在反应炉中通入SiH4、NH3,反应时间90‑110s,生成硅氮比为1 : 11.7‑11.9的第三硅氮层。本发明既能够降低激光开槽的孔径,降低硅基底与铝的反应,又能提升SiNx的稳定性,减轻其与铝浆的化学反应,从而降低线电阻,提高了叠瓦电池的效率。 来源:百度搜索专利查询网

专利主权项内容

1.一种低折叠瓦电池背膜的金属化工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,将待处理叠瓦电池背膜放入第一反应炉中,在第一反应炉中通入SH、NH、NO,反应时间130-150s,在待处理叠瓦电池背膜上生成氮氧化硅层;i432步骤二,将生成氮氧化硅层的待处理叠瓦电池背膜放入第二反应炉中,在第二反应炉中通入SH、NH,反应时间190-210s,在氮氧化硅层上生成第一硅氮层,第一硅氮层的硅氮比为1 : 4.6-4.9;i43步骤三,将生成第一硅氮层的待处理叠瓦电池背膜放入第三反应炉中,在第三反应炉中通入SH、NH,反应时间140-160s,在第一硅氮层上生成第二硅氮层,第二硅氮层的硅氮比为1 : 8.9-9.1;i43步骤四,将生成第二硅氮层的待处理叠瓦电池背膜放入第四反应炉中,在第四反应炉中通入SH、NH,反应时间90-110s,在第二硅氮层上生成第三硅氮层,第三硅氮层的硅氮比为1 : 11.7-11.9。i43