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一种基于卷曲状P3HT空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
申请人信息
- 申请人:链行走新材料科技(广州)有限公司
- 申请人地址:511466 广东省广州市南沙区珠江街南江二路6号自编1栋2层2210
- 发明人: 链行走新材料科技(广州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于卷曲状P3HT空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410096173.1 |
| 申请日 | 2024/1/22 |
| 公告号 | CN117677260A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H10K85/10 |
| 权利人 | 链行走新材料科技(广州)有限公司 |
| 发明人 | 施信波; 高进伟; 姜月; 王祯; 彭阳丽 |
| 地址 | 广东省广州市南沙区珠江街南江二路6号自编1栋2层2210 |
摘要文本
本发明公开了一种基于卷曲状P3HT空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法，所述基于卷曲状P3HT空穴传输层的钙钛矿太阳电池包括空穴传输层，所述空穴传输层的材料为卷曲状的聚噻吩；本发明卷曲状的聚噻吩的堆积密度小，作为空穴传输层的材料可以增强聚噻吩与钙钛矿界面处的载流子传输，进而提高基于卷曲状P3HT空穴传输层的钙钛矿太阳电池的效率，特别是卷曲状的P3HT更能增强P3HT与钙钛矿界面处的载流子传输。 专利查询网
专利主权项内容
1.一种基于卷曲状P3HT空穴传输层的钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池包括空穴传输层，所述空穴传输层的材料为卷曲状的聚噻吩。。来自：