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浅沟槽隔离单元及其制备方法、半导体器件及其制备方法
申请人信息
- 申请人:广州增芯科技有限公司
- 申请人地址:511300 广东省广州市增城区宁西街创优路333号
- 发明人: 广州增芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 浅沟槽隔离单元及其制备方法、半导体器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410062655.5 |
| 申请日 | 2024/1/16 |
| 公告号 | CN117832161A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/762 |
| 权利人 | 广州增芯科技有限公司 |
| 发明人 | 孙九龙 |
| 地址 | 广东省广州市增城区宁西街创优路333号 |
摘要文本
本发明提供了一种浅沟槽隔离单元及其制备方法、半导体器件及其制备方法，该浅沟槽隔离单元的制备方法通过在衬底上形成具有预设的台阶高度的浅沟槽隔离结构，并在浅沟槽隔离结构的隔离层上形成氮化硅保护层；利用该氮化硅保护层来保护隔离层，使得隔离层在后续工艺过程中不被损失掉，从而使得浅沟槽隔离结构维持预设的台阶高度；且该氮化硅层在栅极侧墙的干法刻蚀中被去除。从而使得本发明可以有效精准的控制浅沟槽隔离结构的台阶高度。
专利主权项内容
1.一种浅沟槽隔离单元的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包括浅沟槽以及填充在所述浅沟槽中的隔离层，其中，所述浅沟槽隔离结构具有预设的台阶高度；在所述隔离层的表面形成一氮化硅保护层，用于保护所述隔离层，使得所述浅沟槽隔离结构在后续工艺过程中维持预设的台阶高度；且所述氮化硅保护层在栅极侧墙的干法刻蚀中被去除；其中，在所述隔离层的表面形成所述氮化硅保护层，具体包括：在所述衬底上沉积氮化硅层薄膜，所述氮化硅层薄膜覆盖所述隔离层及所述衬底的其它区域；在所述氮化硅层薄膜上形成第一图形化掩模层，并以所述第一图形化掩模层为掩模对所述氮化硅层薄膜进行刻蚀，以去除其它区域的氮化硅层薄膜，仅保留与所述隔离层相对应的氮化硅层薄膜，形成所述氮化硅保护层。