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GaN HEMTs器件结温测试装置及方法
申请人信息
- 申请人:中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
- 申请人地址:511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
- 发明人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | GaN HEMTs器件结温测试装置及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410172490.7 |
| 申请日 | 2024/2/7 |
| 公告号 | CN117723163A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | G01K11/125 |
| 权利人 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) |
| 发明人 | 王宏跃; 柳月波; 陈义强; 何小琦 |
| 地址 | 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号 |
摘要文本
本申请涉及一种GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。GaN HEMTs器件结温测试装置包括：样品台，样品台包括本体和分液管道，本体开设有用于容置分液管道的容纳腔，本体还用于承载待测器件；测温模块，用于测量本体表面的实际温度；冷却设备，用于根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道的冷却液的流量，以使本体表面的温度维持在预设温度范围内；反射率热成像设备，用于获取待测器件对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果。本申请的GaN HEMTs器件结温测试装置及方法能使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内，避免由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率，导致最终测试结果不准确的情况发生，提高结温测试结果的准确性。
专利主权项内容
1.一种GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，包括：样品台，所述样品台包括本体和分液管道，所述本体开设有用于容置所述分液管道的容纳腔，所述本体还用于承载待测器件；测温模块，位于所述容纳腔且靠近所述待测器件设置，用于测量所述本体表面的实际温度；冷却设备，分别与所述分液管道、测温模块连接，用于根据所述实际温度和预设温度范围调节流过所述分液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内；反射率热成像设备，用于与所述待测器件连接，以获取所述待测器件对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。