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金属氧化物半导体器件及其制备方法
申请人信息
- 申请人:粤芯半导体技术股份有限公司
- 申请人地址:510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 发明人: 粤芯半导体技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 金属氧化物半导体器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410175676.8 |
| 申请日 | 2024/2/8 |
| 公告号 | CN117727634A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 发明人 | 黄海燕; 张日林; 于绍欣 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 |
摘要文本
本申请实施例涉及金属氧化物半导体器件及其制备方法。金属氧化物半导体器件的制备方法包括：提供衬底；衬底中包括相邻的漂移区和体区；在衬底中形成沟槽，沟槽的一部分位于漂移区，沟槽的另一部分位于体区；至少在沟槽的底部形成第一介质层；第一介质层包括位于体区上方的第一子部和位于漂移区上方的第二子部；形成填充沟槽并覆盖衬底表面的第二介质层；形成贯穿第二介质层的栅极接触通孔和场板接触通孔；栅极接触通孔暴露第一子部的表面；场板接触通孔暴露第二子部的表面；在栅极接触通孔和场板接触通孔内填充金属材料以分别形成栅极和场板。如此，可以在提高器件击穿电压的同时，使得器件的制作工艺简化。
专利主权项内容
1.一种金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；所述衬底中包括相邻的漂移区和体区；在所述衬底中形成沟槽，所述沟槽的一部分位于所述漂移区，所述沟槽的另一部分位于所述体区；至少在所述沟槽的底部形成第一介质层；所述第一介质层包括位于所述体区上方的第一子部和位于所述漂移区上方的第二子部；形成填充所述沟槽并覆盖所述衬底表面的第二介质层；形成贯穿所述第二介质层的栅极接触通孔和场板接触通孔；所述栅极接触通孔暴露所述第一子部的表面；所述场板接触通孔暴露所述第二子部的表面；在所述栅极接触通孔和所述场板接触通孔内填充金属材料以分别形成栅极和场板。。来自：