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含氟气体刻蚀残留物的清洗方法、晶圆及其制备方法
申请人信息
- 申请人:粤芯半导体技术股份有限公司
- 申请人地址:510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 发明人: 粤芯半导体技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 含氟气体刻蚀残留物的清洗方法、晶圆及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410131183.4 |
| 申请日 | 2024/1/31 |
| 公告号 | CN117672817A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 发明人 | 欧阳文森; 赵亮; 王胜林 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 |
摘要文本
本发明涉及一种含氟气体刻蚀残留物的清洗方法、晶圆及其制备方法。上述清洗方法包括步骤：对含氟气体刻蚀后的样品依次采用第一含二氧化碳的去离子水、第一氢氟酸、第二含二氧化碳的去离子水、DSP+清洗液、第二氢氟酸以及第三含二氧化碳的去离子水进行清洗。上述含氟气体刻蚀残留物的清洗方法在传统DSP+清洗液清洗的基础上，在DSP+清洗液清洗前后分别使用低浓度的氢氟酸进行清洗，对侧壁的含氟聚合物起到微刻蚀作用，并在每步清洗前后使用含二氧化碳的去离子水进行润洗，对侧壁的含氟聚合物起到了一定疏松化的效果。上述清洗方法不仅对钝化膜开口底壁上的含氟聚合物有良好的清洗效果，还能够有效清洗钝化膜开口侧壁上的含氟聚合物。。来自马-克-数-据
专利主权项内容
1.一种含氟气体刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：对含氟气体刻蚀后的样品依次采用第一含二氧化碳的去离子水、第一氢氟酸、第二含二氧化碳的去离子水、DSP+清洗液、第二氢氟酸以及第三含二氧化碳的去离子水进行清洗；所述第一氢氟酸的浓度为0.2wt%~0.3wt%；所述DSP+清洗液含有质量比为(7~15)∶(5~12)∶50的HSO、HO和水以及85ppm~280ppm的HF；所述第二氢氟酸的浓度为0.2wt%~0.3wt%。2422