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晶圆中发光芯片的检测方法、装置、设备及存储介质
申请人信息
- 申请人:深圳市壹倍科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区西乡街道铁岗社区桃花源科技创新生态园B5栋一层
- 发明人: 深圳市壹倍科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 晶圆中发光芯片的检测方法、装置、设备及存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410140519.3 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117686190A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | G01M11/02 |
| 权利人 | 深圳市壹倍科技有限公司 |
| 发明人 | 荣高琪; 孔一帆; 贺小华; 高锦龙; 李思杰; 蔡亲旺; 黄岚 |
| 地址 | 广东省深圳市宝安区西乡街道铁岗社区桃花源科技创新生态园B5栋一层 |
摘要文本
本发明公开了一种晶圆中发光芯片的检测方法、装置、计算机设备及存储介质，以解决现有的检测技术无法在无接触的情况下，准确地得出单芯片级别的检测结果的问题。该检测方法包括：通过光致发光检测晶圆，得出晶圆中发光芯片的光致发光数据；对基准电致发光数据进行预处理，得出视场角级别的发光数据；对光致发光数据、和视场角级别的发光数据进行映射，得出标定后的发光数据；对所述标定后的发光数据进行推测，得出单芯片级别的发光数据。
专利主权项内容
1.一种晶圆中发光芯片的检测方法，其特征在于，包括：通过光致发光检测晶圆，得出所述晶圆中发光芯片的光致发光数据；对基准电致发光数据进行预处理，得出视场角级别的发光数据；对所述光致发光数据、和所述视场角级别的发光数据进行标定，得出标定后的发光数据；对所述标定后的发光数据进行空间推测，得出单芯片级别的发光数据。。数据由马 克 数 据整理