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一种GaN-HEMT器件及其制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种GaN-HEMT器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410149840.8 |
| 申请日 | 2024/2/2 |
| 公告号 | CN117690963A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 古佳茜 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
本申请提供一种GaN‑HEMT器件及其制备方法，该GaN‑HEMT器件包括沟道层、势垒层、第一钝化层和栅极；势垒层设置在沟道层上，势垒层用于在所述沟道层与所述势垒层之间的界面形成二维电子气；第一钝化层设置在势垒层背离沟道层的一侧，第一钝化层为P‑GaN层；栅极设置在第一钝化层背离势垒层的一侧，栅极与第一钝化层形成欧姆接触；本申请通过将P‑GaN层设置为第一钝化层，第一钝化层能够屏蔽表面陷阱，以提高器件的抗电流崩塌能力。
专利主权项内容
1.一种GaN-HEMT器件，其特征在于，所述GaN-HEMT器件包括：沟道层；势垒层，设置在所述沟道层上，所述势垒层用于在所述沟道层与所述势垒层之间的界面形成二维电子气；第一钝化层，设置在所述势垒层背离所述沟道层的一侧，所述第一钝化层为P-GaN层；栅极，设置在所述第一钝化层背离所述势垒层的一侧，所述栅极与所述第一钝化层形成欧姆接触。