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一种MOS管及其制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种MOS管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410149591.2 |
| 申请日 | 2024/2/2 |
| 公告号 | CN117690968A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 李金耀 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
本申请提供一种MOS管及其制备方法，该MOS管包括漂移层、多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、栅极、源极以及漏极，漂移层的一侧形成有凸台；多个第一掺杂区间隔绕设在凸台的四周，相邻两个第一掺杂区之间形成第一间隔；多个第二掺杂区中的每一第二掺杂区对应设置在一个第一间隔内；其中，第二掺杂区的掺杂类型不同于第一掺杂区的掺杂类型；本申请中一方面通过在凸台的四周形成第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区形成横向水平电场；在栅极促使源极和漏极导通前，需要先克服该横向水平电场，才能将此区域击穿，因此有利于提高MOS管的击穿电压；另一方面，每一第二掺杂区均可形成导电沟道，通过设置多个导电沟道以有利于减小导通电阻。
专利主权项内容
1.一种MOS管，其特征在于，所述MOS管包括：漂移层，所述漂移层的一侧形成有凸台；多个第一掺杂区，所述多个第一掺杂区间隔绕设在所述凸台的四周，相邻两个所述第一掺杂区之间形成第一间隔；多个第二掺杂区，所述多个第二掺杂区间隔绕设在所述凸台的四周，且每一所述第二掺杂区对应设置在一个所述第一间隔内；其中，所述第二掺杂区的掺杂类型不同于所述第一掺杂区的掺杂类型；栅极，设置在所述凸台上，且所述栅极延伸至所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区上；源极，设置在所述第二掺杂区上，并与所述第二掺杂区电连接；漏极，设置在所述漂移层背离所述凸台的一侧。。马 克 数 据 网