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沟槽型终端IGBT器件及其制造方法
申请人信息
- 申请人:深圳腾睿微电子科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道23号深圳市数字技术园A3栋二层C区
- 发明人: 深圳腾睿微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 沟槽型终端IGBT器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410163410.1 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117711939A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 深圳腾睿微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 斯海国; 王鹏; 李翔 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道23号深圳市数字技术园A3栋二层C区 |
摘要文本
本发明提供一种沟槽型终端IGBT器件及其制造方法。制造方法包括制备沟槽型终端耐压结及制备有源区；其中，制备沟槽型终端耐压结的步骤包括：在具有第一导电类型的衬底上制造终端沟槽；去除所述第一硬掩膜；生长轻掺的第二导电类型外延层，以填充终端沟槽形成第二导电类型的终端耐压结；以及，去除位于衬底的上表面以上的第二导电类型外延层。通过在衬底上设置终端沟槽，利用轻掺的第二导电类型外延层对终端沟槽进行填充，使终端耐压方式能够更接近于平面结，提高耐压能力，进而减小终端尺寸。 来源：专利查询网
专利主权项内容
1.一种沟槽型终端IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括制备终端耐压结及制备有源区；其中，所述制备终端耐压结的步骤包括：在具有第一导电类型的衬底上制造终端沟槽；生长轻掺的第二导电类型外延层，以填充所述终端沟槽，并在所述终端沟槽内形成第二导电类型的终端耐压结；以及，去除位于所述衬底的上表面以上的第二导电类型外延层。。关注公众号马 克 数 据 网