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电磁玻璃的设计方法、装置、设备及存储介质

申请号: CN202410045839.0
申请人: 鹏城实验室
更新日期: 2026-03-17

专利详细信息

项目 内容
专利名称 电磁玻璃的设计方法、装置、设备及存储介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202410045839.0
申请日 2024/1/12
公告号 CN117556716A
公开日 2024/2/13
IPC主分类号 G06F30/27
权利人 鹏城实验室
发明人 张泽周; 秦一峰; 冯纪强
地址 广东省深圳市南山区兴科一街2号

摘要文本

本发明属于电磁玻璃设计技术领域,公开了一种电磁玻璃的设计方法、装置、设备及存储介质。该方法包括:获取半自由结构对应的控制矩阵;确定所述控制矩阵的结构矩阵,并确定所述结构矩阵的电磁响应;基于所述控制矩阵、所述结构矩阵以及所述电磁响应,通过多目标优化算法构建目标数据集;基于所述目标数据集训练超表面扩散概率模型,得到目标超表面扩散概率模型;将目标电磁响应以及随机变量输入所述目标超表面扩散概率模型,生成所述目标电磁响应的透射超表面结构,以基于所述透射超表面结构完成所述电磁玻璃的设计。通过上述方式,能够设计出同时满足多个设计指标要求的高性能超表面结构。

专利主权项内容

1.一种电磁玻璃的设计方法,其特征在于,所述电磁玻璃的设计方法包括:获取半自由结构对应的控制矩阵;确定所述控制矩阵的结构矩阵,并确定所述结构矩阵的电磁响应;基于所述控制矩阵、所述结构矩阵以及所述电磁响应,通过多目标优化算法构建目标数据集;基于所述目标数据集训练超表面扩散概率模型,得到目标超表面扩散概率模型;将目标电磁响应以及随机变量输入所述目标超表面扩散概率模型,生成所述目标电磁响应的透射超表面结构,以基于所述透射超表面结构完成所述电磁玻璃的设计。