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一种抑制漏电的N型MOS管
申请人信息
- 申请人:深圳奥简科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区海天一路19、17、18号深圳市软件产业基地4栋528
- 发明人: 深圳奥简科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种抑制漏电的N型MOS管 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410043559.6 |
| 申请日 | 2024/1/11 |
| 公告号 | CN117832257A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 深圳奥简科技有限公司 |
| 发明人 | 王克丞; 林庭佑 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区海天一路19、17、18号深圳市软件产业基地4栋528 |
摘要文本
本申请涉及一种抑制漏电的N型MOS管，该N型MOS管包括：P型衬底，通过N型区隔离出的隔离P阱，以及与P型衬底直接接触的连接P阱；隔离P阱上设置有P+区和N+区，隔离P阱用于生成N型MOS管的栅极，源极和漏极；隔离P阱在水平方向上的两侧设置有第一高压N阱，隔离P阱与P型衬底之间设置有第一N型掩埋层，第一N型掩埋层和第一高压N阱接触，形成对隔离P阱的隔离层；在水平方向上，第一高压N阱之外，还设置有至少一层增强隔离层，增强隔离层包括靠近隔离P阱的增强P阱和与增强P阱接触设置的第二高压N阱。以解决相关技术中的N型MOS管在体电压高于隔离电压，会发生漏电，容易导致N型MOS管工作异常的技术问题。
专利主权项内容
1.一种抑制漏电的N型MOS管，其特征在于，包括：P型衬底，通过N型区隔离出的隔离P阱，以及与所述P型衬底直接接触的连接P阱；所述隔离P阱上设置有P+区和N+区，所述隔离P阱用于在所述P+区和N+区上设置金属结构和氧化物结构，生成N型MOS管的栅极，源极，漏极和体极；所述隔离P阱在水平方向上的两侧设置有第一高压N阱，所述隔离P阱在竖直方向上设置在所述P型衬底的上方，且所述隔离P阱在竖直方向上与所述P型衬底之间设置有第一N型掩埋层，所述第一N型掩埋层和所述第一高压N阱接触，形成对所述隔离P阱的隔离层；在水平方向上，所述第一高压N阱之外，还设置有至少一层增强隔离层，所述增强隔离层包括靠近所述隔离P阱的增强P阱和与所述增强P阱接触设置的第二高压N阱；所述连接P阱设置在所述增强隔离层的水平外侧，与所述P型衬底相连。