氮化镓功率器件
申请人信息
- 申请人:深圳市威兆半导体股份有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
- 发明人: 深圳市威兆半导体股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 氮化镓功率器件 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410065349.7 |
| 申请日 | 2024/1/17 |
| 公告号 | CN117577642B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L27/07 |
| 权利人 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 林育赐; 李伟聪; 姜春亮; 梁志锦 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 |
摘要文本
本申请涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓功率器件，包括：高掺杂硅衬底，高掺杂硅衬底上扩散有低掺杂漂移区，低掺杂漂移区上扩散有高掺杂接触区；氮化镓外延结构层，氮化镓外延结构层生长于高掺杂硅衬底的上表面，且沉积有氮化镓栅极区、第一欧姆接触金属以及第二欧姆接触金属，高掺杂硅衬底上沉积有第一隔离介质层以及第二隔离介质层；第一金属电极沉积于第一隔离介质层的一侧，其一端连接高掺杂硅衬底，另一端部分连接第一欧姆接触金属；第二金属电极沉积于第二隔离介质层的一侧，其一端连接高掺杂接触区，另一端部分连接第二欧姆接触金属。本申请解决电路外部并联续流二极管带来的大体积和寄生参数问题，提高电路性能。
专利主权项内容
1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，包括：第一导电类型的高掺杂硅衬底，所述高掺杂硅衬底上扩散有第二导电类型的低掺杂漂移区，所述低掺杂漂移区位于所述高掺杂硅衬底的一侧，所述低掺杂漂移区上扩散有第二导电类型的高掺杂接触区，所述高掺杂接触区位于所述低掺杂漂移区的一侧；氮化镓外延结构层，所述氮化镓外延结构层生长于所述高掺杂硅衬底的上表面且连接所述低掺杂漂移区，所述氮化镓外延结构层上沉积有互不相接的氮化镓栅极区、第一欧姆接触金属以及第二欧姆接触金属，所述氮化镓栅极区分别至所述第一欧姆接触金属和所述第二欧姆接触金属的距离不等，所述氮化镓栅极区至所述第一欧姆接触金属的距离小于所述氮化镓栅极区至所述第二欧姆接触金属的距离，所述高掺杂硅衬底上沉积有第一隔离介质层以及第二隔离介质层，所述第一隔离介质层和所述第二隔离介质层分别配置于所述氮化镓外延结构层的两侧，其中，所述第一隔离介质层的一端连接所述高掺杂硅衬底，所述第一隔离介质层的另一端高于所述第一欧姆接触金属且与所述第一欧姆接触金属的顶端部分连接；所述第二隔离介质层的一端分别连接所述低掺杂漂移区和所述高掺杂接触区，所述第二隔离介质层的另一端高于所述第二欧姆接触金属且与所述第二欧姆接触金属的顶端部分连接；第一金属电极，沉积于所述第一隔离介质层的一侧，其一端连接所述高掺杂硅衬底，另一端部分连接所述第一欧姆接触金属；第二金属电极，沉积于所述第二隔离介质层的一侧，其一端连接所述高掺杂接触区，另一端部分连接所述第二欧姆接触金属。 详见官网：