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氮化镓双向功率器件
申请人信息
- 申请人:深圳市威兆半导体股份有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
- 发明人: 深圳市威兆半导体股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 氮化镓双向功率器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410065348.2 |
| 申请日 | 2024/1/17 |
| 公告号 | CN117577680A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 林育赐; 李伟聪; 姜春亮; 梁志锦 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 |
摘要文本
本申请涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓双向功率器件，包括：高掺杂硅衬底，高掺杂硅衬底上对称扩散有低掺杂漂移区，低掺杂漂移区上对称扩散有高掺杂接触区；氮化镓外延结构层，生长于高掺杂硅衬底的上表面，包括依次层叠的氮化铝成核层、氮化镓铝缓冲层、氮化镓沟道层以及氮化镓铝势垒层；氮化镓器件结构，形成于氮化镓铝势垒层上；第一金属电极的一端连接氮化镓器件结构，另一端连接位于高掺杂硅衬底的一侧的高掺杂接触区；第二金属电极的一端连接氮化镓器件结构，另一端连接位于高掺杂硅衬底的另一侧的高掺杂接触区。本申请解决氮化镓双向功率器件衬底浮空问题，提升器件开关性能和可靠性。
专利主权项内容
1.一种氮化镓双向功率器件，其特征在于，包括：高掺杂硅衬底，所述高掺杂硅衬底上对称扩散有低掺杂漂移区，所述低掺杂漂移区位于所述高掺杂硅衬底的两侧，所述低掺杂漂移区上对称扩散有高掺杂接触区，所述高掺杂接触区位于所述低掺杂漂移区的两侧，所述高掺杂硅衬底分别与所述低掺杂漂移区和所述高掺杂接触区形成PIN二极管，所述高掺杂硅衬底为所述PIN二极管的阳极，所述高掺杂接触区分别为所述PIN二极管的阴极；氮化镓外延结构层，生长于所述高掺杂硅衬底的上表面且分别连接所述低掺杂漂移区，所述氮化镓外延结构层包括依次层叠的氮化铝成核层、氮化镓铝缓冲层、氮化镓沟道层以及氮化镓铝势垒层；氮化镓器件结构，形成于所述氮化镓铝势垒层上；第一金属电极，沉积于所述氮化镓外延结构层的一侧，其一端连接所述氮化镓器件结构，另一端连接位于所述高掺杂硅衬底的一侧的高掺杂接触区；第二金属电极，沉积于所述氮化镓外延结构层的另一侧，其一端连接所述氮化镓器件结构，另一端连接位于所述高掺杂硅衬底的另一侧的高掺杂接触区。 来自：马 克 团 队