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一种封装芯片的失效分析方法

申请号: CN202410013517.8
申请人: 深圳维盛半导体科技有限公司
更新日期: 2026-03-17

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种封装芯片的失效分析方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410013517.8
申请日 2024/1/4
公告号 CN117783832A
公开日 2024/3/29
IPC主分类号 G01R31/28
权利人 深圳维盛半导体科技有限公司
发明人 余海滨; 赵光礼
地址 广东省深圳市宝安区西乡街道铁仔路共乐第一工业区第二栋厂房8楼东侧

摘要文本

本发明公开了一种封装芯片的失效分析方法,包括提供化学药水并进行加热,将需分析的封装芯片浸入化学药水中,完成对封装芯片的开帽处理;选择预设的环氧玻璃载带,并将开帽的封装芯片装载到载带上,对封装芯片的金球进行键合;对键合的封装芯片进行封装和固化处理;使用适应于玻璃载带的产品测试平台,进行芯片测试,根据测试结果进行判断芯片的失效类型。通过无损性的开帽过程,避免了对芯片功能的破坏,从而能获取更准确和全面的分析数据;之后进行键合,以对封装芯片进行模拟,从而根据测试结果针对性的检测到问题芯片的失效类型,减少对比实验组的重复和对合格芯片的浪费,提高检测效率,有利于节约生产成本。 百度搜索专利查询网

专利主权项内容

1.一种封装芯片的失效分析方法,其特征在于,包括:提供化学药水并进行加热,将需分析的封装芯片浸入所述化学药水中,完成对封装芯片的开帽处理;选择预设的环氧玻璃载带,并将开帽的封装芯片装载到载带上,对封装芯片的金球进行键合;对键合的封装芯片进行UV胶水封装和UV固化处理;使用适应于玻璃载带的产品测试平台,进行芯片测试,根据测试结果进行判断芯片的失效类型。