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一种芯片封装内部植球方法及封装结构
申请人信息
- 申请人:深圳维盛半导体科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区西乡街道铁仔路共乐第一工业区第二栋厂房8楼东侧
- 发明人: 深圳维盛半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种芯片封装内部植球方法及封装结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410061075.4 |
| 申请日 | 2024/1/16 |
| 公告号 | CN117690814A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L21/60 |
| 权利人 | 深圳维盛半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 余海滨; 赵光礼 |
| 地址 | 广东省深圳市宝安区西乡街道铁仔路共乐第一工业区第二栋厂房8楼东侧 |
摘要文本
本发明提供了一种芯片封装内部植球方法及封装结构，植球方法包括：S1、提供裸片，所述裸片上形成有下凹的键合窗口，所述键合窗口内设有外露的金属部；S2、在所述键合窗口中植入金球；S3、将网板放置于所述裸片上方，所述网板对应所述键合窗口的位置形成有网孔；S4、将高温的锡球刮入所述网孔内；S5、进行回流焊并取出网板，以使所述锡球融化并与所述金球结合。在裸片的金属部上利用植入金球的方式固定回流的锡球，然后将锡球设置在金属部及金球上，经过回流焊便可完成锡球植球的工艺，即仅需配置植球机便可以将锡球固定在芯片的金属部上；对于上述工艺而言，不需要配置溅射设备及电镀设备，进而降低了在芯片内部进行植球工艺的成本。 来自马-克-数-据
专利主权项内容
1.一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，包括：S1、提供裸片，所述裸片上形成有下凹的键合窗口，所述键合窗口内设有外露的金属部；S2、在所述键合窗口中植入金球；S3、将网板放置于所述裸片上方，所述网板对应所述键合窗口的位置形成有网孔；S4、将高温的锡球刮入所述网孔内，以令所述锡球承载在所述金球上；S5、进行回流焊并取出网板，以使所述锡球融化并与所述金球结合。 数据由马 克 团 队整理