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一种垂直型GaN HEMT半导体器件及其制造方法
申请人信息
- 申请人:深圳市冠禹半导体有限公司
- 申请人地址:518100 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区泰华梧桐工业园雨水(2A)栋3层
- 发明人: 深圳市冠禹半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种垂直型GaN HEMT半导体器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410128339.3 |
| 申请日 | 2024/1/30 |
| 公告号 | CN117650175A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 深圳市冠禹半导体有限公司 |
| 发明人 | 李伟; 高苗苗; 段卫宁; 梁为住 |
| 地址 | 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区泰华梧桐工业园雨水(2A)栋3层 |
摘要文本
本发明涉及一种垂直型GaN HEMT半导体器件及其制造方法，器件包括在衬底上外延生长的叠层结构与面漂移层，该叠层结构包括有内漂移层、均流层以及介设其中的内阻挡层；衬底上形成有非平坦侧壁的深沟槽，贯穿面漂移层与叠层结构，内阻挡层具有内突出在所述深沟槽侧壁的凸出部位；该凸出部位的导电类型被改性；面阻挡层连续地形成在面漂移层上与深沟槽的非平坦侧壁上；第一栅极结构设置在深沟槽中。本发明具有能在GaN器件中建立纵向沟道且在器件微缩下能有效截断沟道的效果。在较佳示例中，在面阻挡层上设置有第二栅极结构，位于第一栅极结构与源极结构之间。 （） （来 自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种垂直型GaN HEMT半导体器件，其特征在于，包括：在衬底上外延生长的叠层结构与在所述叠层结构上的面漂移层，所述叠层结构包括有内漂移层、均流层以及介设其中的内阻挡层；其中对所述面漂移层与所述叠层结构刻蚀形成有非平坦侧壁的深沟槽，所述深沟槽贯穿所述面漂移层与所述叠层结构，所述内阻挡层具有内突出在所述深沟槽侧壁的凸出部位；所述内阻挡层的凸出部位的导电类型被改性；面阻挡层，连续地形成在所述面漂移层上与所述深沟槽的非平坦侧壁上；第一栅极结构，设置在所述深沟槽中；源极结构，设置在所述面漂移层上并位于所述第一栅极结构的两侧；漏极结构，设置为反向于所述叠层结构外延生长方向的器件底部。