← 返回列表

键合线定额统计的3D转换方法、装置、设备及存储介质

申请号: CN202410001704.4
申请人: 深圳维盛半导体科技有限公司
更新日期: 2026-03-17

专利详细信息

项目 内容
专利名称 键合线定额统计的3D转换方法、装置、设备及存储介质
专利类型 发明授权
申请号 CN202410001704.4
申请日 2024/1/2
公告号 CN117519693B
公开日 2024/4/2
IPC主分类号 G06F8/35
权利人 深圳维盛半导体科技有限公司
发明人 余海滨; 赵光礼
地址 广东省深圳市宝安区西乡街道铁仔路共乐第一工业区第二栋厂房8楼东侧

摘要文本

本发明涉及键合线的技术领域,公开了一种键合线定额统计的3D转换方法、装置、设备及存储介质,本发明通过对键合线的生产数据的采集与计算,获取所述键合线的均值规格对照表,并分别根据键合线的各个工作场景生成对应的定额计算模型,基于定额计算模型构建3D工艺计算程序,当需要对键合线进行定额计算时,只需输入规格参数,3D工艺计算程序即可自动计算给出一个预测数值,解决了现有技术中无法快速进行键合线的定额计算的问题。 关注公众号专利查询网

专利主权项内容

1.一种键合线定额统计的3D转换方法,其特征在于,包括:通过对键合线的生产数据的采集与计算,获取若干种键合线在生产流程中的各项规格参数,并将各个所述键合线的各项规格参数进行联系,以得到所述键合线的均值规格对照表;其中,所述均值规格对照表用于将所述键合线的线类型、线直径、弧高、球高、球径进行一一对应;获取所述键合线所处的若干工作场景,并分别根据各个所述工作场景和所述均值规格对照表生成所述键合线的定额计算模型;所述键合线分别与芯片和引脚进行连接,所述芯片设置在基岛上,所述键合线所处的工作场景包括基岛下沉形式和基岛不下沉形式;当处于基岛下沉形式时,所述基岛的高度低于所述引脚的高度,所述键合线在连接所述芯片和所述引脚需要跨越预定标准的高度差;当处于基岛非下沉形式时,所述基岛的高度与所述引脚的高度处于预定标准内;当所述键合线处于基岛下沉形式的工作场景时,所述键合线连接芯片和引脚时跨越的高度为A,跨越的宽度为B,所述键合线的定额计算模型为:3DL =A+B+FAB-HCf-QCf = A+B+0.7·(2/3)D/d –((2/3)A-(1/6)πA) -2.5·球高;32HCf = 2·(1/3)A-(1/4)·2π(1/3)A = (2/3)A-(1/6)πA;QCf = 2.5·球高;FAB = 0.7·(2/3)D/d;32其中,D为球径,d为线径;当所述键合线处于基岛非下沉形式的工作场景时,所述键合线连接芯片和引脚时跨越的高度为A,跨越的宽度为B,所述键合线的定额计算模型为:3DL = A+FAB+SQRT((A+X)(A+X)+B·B)-HCf-QCf = A+0.7·(2/3)D/d+ SQRT((A+X)(A+X)+B·B)-( (2/3)A-(1/6)πA)- 2.5·球高;32HCf = 2·(1/3)A-(1/4)·2π(1/3)A = (2/3)A-(1/6)πA;QCf = 2.5·球高;FAB = 0.7·(2/3)D/d;32SQRT()为对()内的数值进行平方根运算;X = 3.5d;其中,D为球径,d为线径。