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等离子处理装置温度控制方法及系统
申请人信息
- 申请人:深圳市奥普斯等离子体科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道回龙埔社区花样年乐年广场13号楼A单元1606
- 发明人: 深圳市奥普斯等离子体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 等离子处理装置温度控制方法及系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410029445.6 |
| 申请日 | 2024/1/9 |
| 公告号 | CN117558609A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H01J37/32 |
| 权利人 | 深圳市奥普斯等离子体科技有限公司 |
| 发明人 | 欧阳军; 刘华光 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区龙城街道回龙埔社区花样年乐年广场13号楼A单元1606 |
摘要文本
本发明公开了一种等离子处理装置温度控制方法及系统，其包括获取等离子室中的各个待处理物的高度信息，并产生高度分布信息；当高度分布信息表示待处理物在一个高度，则将预设置于待处理物上方和下方的两组电极组成分别进行位置调整；令电极组成移动至待处理物的间距相同后进行上电；当高度分布信息表示待处理物不在同一高度，则根据高度分布信息中的多个不同的高度值确定相邻高度的待处理物之间的若干组预设置的电极组成，记为组合N；若组合N的电极组成组数=1，令当前电极组成的移动至与上下待处理物等距时上电。本申请具有减小等离子放电引起的温度分布差异对产品处理稳定性的影响的效果。
专利主权项内容
1.一种等离子处理装置温度控制方法，其特征在于，包括：获取等离子室中的各个待处理物的高度信息，并产生高度分布信息；当高度分布信息表示待处理物在一个高度，则：将预设置于待处理物上方和下方的两组电极组成分别进行位置调整；令电极组成移动至待处理物的间距相同后进行上电；当高度分布信息表示待处理物不在同一高度，则：根据高度分布信息中的多个不同的高度值确定相邻高度的待处理物之间的若干组预设置的电极组成，记为组合N；其中，N为不同高度的待处理物之间的间隔空间序号；若组合N的电极组成组数=1，令当前电极组成的移动至与上下待处理物等距时上电；若组合N的电极组成组数＞1，令位于中间的一个或两个电极组成移动至与上下待处理物等距时上电；根据高度分布信息中的多个不同的高度值确定最高的待处理物上方的相邻的电极组成，且确定最低的待处理物下方的相邻的电极组成，将当前的两组电极组成移动至与相邻的待处理物等距时上电。