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一种氮化镓器件
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 申请人地址:519100 广东省珠海市高新区金园二路39号
- 发明人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种氮化镓器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410107533.3 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117637819A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L29/207 |
| 权利人 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
| 发明人 | 汪可; 李啓珍 |
| 地址 | 广东省珠海市高新区金园二路39号 |
摘要文本
（） 本发明公开了一种氮化镓器件。该氮化镓器件包括：衬底；缓冲层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于缓冲层远离衬底的表面；缓冲层的第一表面为靠近衬底的表面，缓冲层的第二表面为缓冲层和沟道层接触的表面，缓冲层的第二表面侧的材料至少包括铝原子掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料，铝原子和第Ⅲ主族原子的比值大于或等于2%，且小于或等于5%，缓冲层的第一表面侧的材料至少包括碳原子掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；缓冲层包括一层或者多个子层；势垒层位于沟道层远离缓冲层的表面；P型氮化物层位于势垒层远离沟道层的表面。本发明实施例提供的技术方案提高了沟道层、势垒层和P型氮化物层的良率，提升了氮化镓器件的电学性能的稳定性。
专利主权项内容
1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底之上；沟道层，所述沟道层位于所述缓冲层远离所述衬底的表面；所述缓冲层包括相对设置的第一表面和第二表面， 所述缓冲层的第一表面为靠近所述衬底的表面，所述缓冲层的第二表面为所述缓冲层和所述沟道层接触的表面，所述缓冲层的第二表面侧的材料至少包括铝原子掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，其中，所述铝原子和第Ⅲ主族原子的比值大于或等于2%，且小于或等于5%，所述缓冲层的第一表面侧的材料至少包括碳原子掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料；所述缓冲层包括一层或者多个子层；势垒层，所述势垒层位于所述沟道层远离所述缓冲层的表面；P型氮化物层，所述P型氮化物层位于所述势垒层远离所述沟道层的表面；栅极，所述栅极位于所述P型氮化物层远离所述势垒层的表面；源极，所述源极位于所述势垒层远离所述沟道层的表面；漏极，所述漏极位于所述势垒层远离所述沟道层的表面。。来自：