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碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法
申请人信息
- 申请人:南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 申请人地址:211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室
- 发明人: 南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410096824.7 |
| 申请日 | 2024/1/24 |
| 公告号 | CN117613097A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 发明人 | 张跃; 柏松; 曹龙飞; 陈宇; 黄润华; 杨勇 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室; ; 江苏省南京市秦淮区瑞金路街道中山东路524号 |
摘要文本
本发明公开了一种碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法。该碳化硅MOSFET功率器件包括特征沟槽，第一导电类型衬底、外延层、源区和电流扩展层，第二导电类型阱区。本发明通过特征沟槽进行离子注入以形成第一导电类型电流扩展层，于特征沟槽中填满栅介质，既可以明显减小导通电阻，又有效保护了栅介质，同时显著降低了器件的开关损耗。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。
专利主权项内容
1.一种碳化硅MOSFET功率器件，其特征在于，包括：漏极电极；第一导电类型衬底，位于所述漏极电极之上；第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底之上；第二导电类型阱区，位于所述第一导电类型外延层之中；第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱区之中；特征沟槽，位于所述第一导电类型外延层之中，位于所述第二导电类型阱区之间；第一导电类型电流扩展层，位于所述特征沟槽的侧壁及底部；栅介质层，位于所述特征沟槽之中以及第一导电类型外延层之上，栅介质层填满特征沟槽；栅极电极，位于所述栅介质层之上，栅极电极的边缘位于所述第一导电类型源区之上；隔离介质层，位于所述第一导电类型外延层之上，完全包围栅极电极；源极电极，位于所述隔离介质层的两侧及之上。。 （来自 马克数据网）