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一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法
申请人信息
- 申请人:常州臻晶半导体有限公司
- 申请人地址:213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
- 发明人: 常州臻晶半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410112396.2 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117626407A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | C30B15/00 |
| 权利人 | 常州臻晶半导体有限公司 |
| 发明人 | 柯尊斌; 陆敏; 王晗; 吴信杠; 王欣 |
| 地址 | 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东 |
摘要文本
本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法；本发明提供了一种液相法高效生长碳化硅单晶系统，包括：坩埚、提拉杆、籽晶层和清理稳定部，所述提拉杆垂直固定在籽晶层上，所述提拉杆适于驱动籽晶层插入坩埚内；所述清理稳定部固定在坩埚上方，所述清理稳定部与提拉杆和子晶层联动；其中，清理稳定部的外活动端向下移动，清理稳定部的内活动端适于与籽晶层底壁抵接；清理稳定部的内活动端自内向外翻转的过程中，适于清理籽晶层下表面的灰尘；通过清理稳定部的设置，提高了籽晶层移动时的稳定性。
专利主权项内容
1.一种液相法高效生长碳化硅单晶系统，其特征在于，包括：坩埚(1)、提拉杆(2)、籽晶层(3)和清理稳定部(4)，所述提拉杆(2)垂直固定在籽晶层(3)上，所述提拉杆(2)适于驱动籽晶层(3)插入坩埚(1)内；所述清理稳定部(4)固定在坩埚(1)上方，所述清理稳定部(4)与提拉杆(2)和子晶层联动；其中，清理稳定部(4)的外活动端向下移动，清理稳定部(4)的内活动端适于与籽晶层(3)底壁抵接；清理稳定部(4)的内活动端自内向外翻转的过程中，适于清理籽晶层(3)下表面的灰尘。