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半导体器件及其形成方法
申请人信息
- 申请人:常州承芯半导体有限公司
- 申请人地址:213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号
- 发明人: 常州承芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410076508.3 |
| 申请日 | 2024/1/18 |
| 公告号 | CN117594644A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L29/737 |
| 权利人 | 常州承芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 邹道华; 刘宇浩; 刘昱玮; 陈俊奇 |
| 地址 | 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号 |
摘要文本
一种半导体器件及其形成方法，结构包括：第一基底，所述第一基底具有相对的第一面与第二面；接合于所述第一面的晶体管，所述晶体管包括：阻挡层、集电层、基层以及发射层，所述集电层具有相对的第一侧与第二侧，所述基层与发射层位于所述第一侧，所述阻挡层位于所述第二侧，所述第一基底位于所述第一侧，所述基层和所述发射层位于所述第一基底与所述集电层之间，所述阻挡层的材料与所述集电层的材料不同，所述阻挡层用于保护所述集电层，集电层、基层以及发射层的材料与第一基底的材料不同。阻挡层保护集电层不被损坏，将晶体管转移到第一基底上使得半导体器件的散热性能提升；晶体管倒置于第一基底上，进一步提升了半导体器件的散热性能。。
专利主权项内容
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一基底，所述第一基底具有相对的第一面与第二面；接合于所述第一面的晶体管，所述晶体管包括：阻挡层、集电层、基层以及发射层，所述集电层具有相对的第一侧与第二侧，所述基层与发射层位于所述第一侧，所述阻挡层位于所述第二侧，所述第一基底位于所述第一侧，所述基层和所述发射层位于所述第一基底与所述集电层之间，所述阻挡层的材料与所述集电层的材料不同，所述阻挡层用于保护所述集电层，所述集电层、基层以及发射层的材料与所述第一基底的材料不同。