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半导体结构及其形成方法
申请人信息
- 申请人:常州承芯半导体有限公司
- 申请人地址:213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号
- 发明人: 常州承芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410010633.4 |
| 申请日 | 2024/1/4 |
| 公告号 | CN117579025A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H03H9/13 |
| 权利人 | 常州承芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 吴冉冉; 杨新宇; 邹雅丽; 邵晓斐 |
| 地址 | 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号 |
摘要文本
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：压电层；位于所述压电层上的两个叉指换能器；位于两个所述叉指换能器之间的多个反射结构，其中，所述反射结构的形状、所述反射结构的尺寸及多个所述反射结构的排布三项中至少有两项是不规则的；从而提升反射结构的散射程度，使声表面波在反射过程经过多个不同的反射角，产生反相消除，达到进一步降低干扰的效果，提升最终形成半导体结构的性能。 （）
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：压电层；位于所述压电层上的两个叉指换能器；位于两个所述叉指换能器之间的多个反射结构，其中，所述反射结构的形状、所述反射结构的尺寸及多个所述反射结构的排布三项中至少有两项是不规则的。