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芯片堆叠封装结构及其形成方法

申请号: CN202410068699.9
申请人: 江阴长电先进封装有限公司
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 芯片堆叠封装结构及其形成方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410068699.9
申请日 2024/1/17
公告号 CN117594538A
公开日 2024/2/23
IPC主分类号 H01L23/31
权利人 江阴长电先进封装有限公司
发明人 徐虹; 成炎炎; 魏亨利
地址 江苏省无锡市江阴市长山大道78号

摘要文本

本发明涉及一种芯片堆叠封装结构及其形成方法。所述芯片堆叠封装结构包括:第一芯片,包括沿第一方向贯穿所述第一芯片的通孔,所述第一芯片还包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面;第二芯片,沿第一方向堆叠于所述第一芯片的所述第一表面上;引出结构,沿所述第一方向设置于所述第一芯片的第二表面上,所述引出结构与所述第一芯片电连接,且所述引出结构延伸至所述通孔内并与所述第二芯片电连接。本发明实现了封装集成度的提高,并减小了封装结构的尺寸,降低了封装结构制程工艺的难度。

专利主权项内容

1.一种芯片堆叠封装结构,其特征在于,包括:第一芯片,包括沿第一方向贯穿所述第一芯片的通孔,所述第一芯片还包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面,所述第一芯片的所述第一表面上具有第一重布线层;第二芯片,沿第一方向堆叠于所述第一芯片的所述第一表面上;引出结构,沿所述第一方向设置于所述第一芯片的第二表面上,所述引出结构与所述第一芯片电连接,且所述引出结构延伸至所述通孔内并与所述第二芯片电连接,以通过所述引出结构引出所述第一芯片中的信号和所述第二芯片中的信号;所述引出结构包括引出重布线层,所述引出重布线层位于所述第一芯片的所述第二表面上并覆盖所述通孔的内壁,延伸至所述通孔内的所述引出重布线层与所述第一重布线层电连接;塑封层,包覆所述第一芯片和所述第二芯片,且所述塑封层填充满所述通孔并覆盖于所述引出重布线层的表面。