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一种基于二氧化钒和光导硅的动态可调太赫兹吸波器

申请号: CN202410016668.9
申请人: 常熟理工学院
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于二氧化钒和光导硅的动态可调太赫兹吸波器
专利类型 发明申请
申请号 CN202410016668.9
申请日 2024/1/5
公告号 CN117791174A
公开日 2024/3/29
IPC主分类号 H01Q17/00
权利人 常熟理工学院
发明人 付长凤; 王欣柯; 严晓波; 周海燕; 张易成; 居佳欣; 韩连福
地址 江苏省苏州市常熟市南三环路99号

摘要文本

一种基于二氧化钒和光导硅的动态可调太赫兹吸波器,属于电磁超材料技术领域。本发明针对目前大多数太赫兹吸波器仅能实现单一窄吸收峰,无法实现动态可调吸收以满足实际需求等问题。超构表面单元由自上而下的五层组成,顶层至底层依次为光导硅内嵌十字和两个四分之一圆环组成的图案层、上层二氧化硅介质层、二氧化钒调控层、下层二氧化硅介质层和金属底板。本发明使用二氧化钒和光导硅活性材料,通过调节温度控制二氧化钒的电导率实现吸波器单/双频带的切换,通过调节光泵浦的强度控制光导硅的电导率变化实现吸收率的调节,具有动态可调吸波特性,在调制、传感和电磁隐身等多功能器件方面有潜在的应用价值。

专利主权项内容

1.一种基于二氧化钒和光导硅的动态可调太赫兹吸波器,其特征在于:设计超构表面单元结构,所述结构包括五层:顶层至底层依次为光导硅图案层、上层二氧化硅介质层、二氧化钒调控层、下层二氧化硅介质层和金属底板;所述单元结构在o-xyz坐标轴中沿x和y方向进行周期性排布形成超表面微结构,o为坐标原点。 (来自 )