一种单晶生长装置和单晶生长方法

专利主权项内容

1.一种单晶生长装置，包括坩埚，位于坩埚外侧面的加热器，设置在坩埚和加热器的外部的保温罩，以及气源；所述保温罩的中部开口且开口位于所述坩埚上端面的上方，其特征在于，还包括：充气部，其整体安装在所述保温罩的中部开口处，且其下端沿靠近坩埚上端面的方向延伸，且其具有第一气流通道以及分别与第一气流通道连通的上部进气口、侧面出气口、底部出气口，所述上部进气口与所述气源连通，所述底部出气口朝向所述坩埚上端面的中部位置，所述侧面出气口朝向所述坩埚上端面的靠近边缘位置；芯轴，其至少部分套设在所述第一气流通道内，且其内部开设有具有芯轴进气口、芯轴出气口的第二气流通道，所述芯轴进气口与所述第一气流通道、上部进气口、侧面出气口均相互连通，所述芯轴出气口与所述底部出气口连通，且位于所述芯轴进气口和所述芯轴出气口之间的部分芯轴外设置有凸起部，且所述芯轴与所述充气部在沿气流方向上能相对移动，以通过凸起部调节经第一气流通道流向所述侧面出气口和所述第二气流通道的气流比例。