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阵列式级联微透镜组的制备方法、阵列化曝光装置及应用

申请号: CN202410247795.X
申请人: 苏州苏纳光电有限公司
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 阵列式级联微透镜组的制备方法、阵列化曝光装置及应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202410247795.X
申请日 2024/3/5
公告号 CN117826286A
公开日 2024/4/5
IPC主分类号 G02B3/00
权利人 苏州苏纳光电有限公司
发明人 刘林韬; 卢建娅; 黄寓洋
地址 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区1幢101、102室

摘要文本

本发明公开了一种阵列式级联微透镜组的制备方法、阵列化曝光装置及应用。所述制备方法包括:在衬底表面覆设光刻胶层;在第一区域中进行第一欠曝光,在第二区域中进行第二欠曝光,第一区域与第二区域具有重叠部分但不完全重合,重叠部分产生叠加欠曝光,以形成区域化分级欠曝光;进行显影,形成区域化胶柱阵列;使胶柱转化成弧面体,并利用所述弧面体对所述衬底进行图案化刻蚀,获得阵列式级联微透镜组。本发明使用欠曝光技术结合区域化叠加曝光的方式直接进行区域化不同剂量曝光,最终制备出晶圆级的阵列式级联微透镜组,具有成本低廉、操作方便、制备效率高、成品率高的显著优势,可以被广泛应用于各种成像传感、显示和光伏器件的制作流程中。 来自

专利主权项内容

1.一种阵列式级联微透镜组的制备方法,其特征在于,包括:先在衬底表面覆设光刻胶层,所述光刻胶层具有沿第一方向分布的若干组待曝光区域,每一组待曝光区域包括沿第一方向分布的第一区域、第二区域和第三区域,所述第一区域与第二区域交叠且不重合,所述第三区域为第一区域与第二区域的交叠区域,所述第一方向平行于所述衬底表面;之后分别对所述第一区域、第二区域进行第一欠曝光、第二欠曝光,以在所述第三区域产生叠加欠曝光,以在所述光刻胶层中形成区域化分级欠曝光;其后对所述光刻胶层进行显影,形成区域化胶柱阵列;之后将所述区域化胶柱阵列中的胶柱转化成弧面体,并利用所述弧面体对所述衬底进行图案化刻蚀,获得阵列式级联微透镜组。。来自:马 克 团 队