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一种半导体芯片的三温测试方法、装置、设备及介质
申请人信息
- 申请人:苏州贝克微电子股份有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市高新区科技城济慈路150号1幢
- 发明人: 苏州贝克微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体芯片的三温测试方法、装置、设备及介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410097599.9 |
| 申请日 | 2024/1/24 |
| 公告号 | CN117686888A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | G01R31/28 |
| 权利人 | 苏州贝克微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名 |
| 地址 | 江苏省苏州市高新区科技城济慈路150号1幢 |
摘要文本
本发明涉及半导体芯片测试技术领域，公开了一种半导体芯片的三温测试方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取半导体芯片的测试温度；根据第一映射关系和测试温度，确定目标温度，其中，第一映射关系为测试温度和目标温度之间的函数关系，目标温度为三温测试探头使半导体芯片封装内部的温度达到测试温度所需的温度；控制三温测试探头的温度为目标温度；对半导体芯片进行三温测试。本发明在对半导体芯片进行性能的三温测试时，能够使半导体芯片封装内部的温度为实际所需的温度，大大提高三温测试的测试精度。
专利主权项内容
1.一种半导体芯片的三温测试方法，其特征在于，所述方法包括：获取半导体芯片的测试温度；根据第一映射关系和所述测试温度，确定目标温度，其中，所述第一映射关系为所述测试温度和所述目标温度之间的函数关系，所述目标温度为三温测试探头使所述半导体芯片封装内部的温度达到所述测试温度所需的温度；控制所述三温测试探头的温度为所述目标温度；对所述半导体芯片进行三温测试。 数据由马 克 数 据整理