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一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法
申请人信息
- 申请人:南昌大学; 南昌硅基半导体科技有限公司; 南昌实验室
- 申请人地址:330038 江西省南昌市红谷滩区学府大道999号
- 发明人: 南昌大学; 南昌硅基半导体科技有限公司; 南昌实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410044008.1 |
| 申请日 | 2024/1/12 |
| 公告号 | CN117772714A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | B08B7/00 |
| 权利人 | 南昌大学; 南昌硅基半导体科技有限公司; 南昌实验室 |
| 发明人 | 罗成; 任毅博; 徐龙权; 王珍; 邓炳兰 |
| 地址 | 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号; 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区艾溪湖北路679号2栋工程技术研究中心附楼; |
摘要文本
本发明公开了一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法。所述清洁系统包括激光装置、清洁装置。其中，激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D1。激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔的内表面，实现对MOCVD反应腔的内腔表面的清洁。通过设置激光束的能量密度，可以确保MOCVD反应腔的清理效果又不会破坏MOCVD反应腔。清洁装置在清洁过程中持续吸收飞溅颗粒，防止飞溅颗粒扩散到其他区域。该清洁系统具有非接触、高效率、灵活性高等优点。
专利主权项内容
1.一种MOCVD反应腔的清洁系统，其特征在于：所述清洁系统包括：激光装置、清洁装置；激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D；激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔，实现对MOCVD反应腔的清洁。1 更多数据：