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一种MOS场效应晶体管

申请号: CN202410008516.4
申请人: 江西联创特种微电子有限公司
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种MOS场效应晶体管
专利类型 发明申请
申请号 CN202410008516.4
申请日 2024/1/4
公告号 CN117525152A
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 H01L29/78
权利人 江西联创特种微电子有限公司
发明人 李宗宇; 陈娟; 吴志成
地址 江西省南昌市青山湖区罗家镇七四六厂内

摘要文本

本发明涉及晶体管技术领域,且公开了一种MOS场效应晶体管,该MOS场效应晶体管,包括封壳和引脚,所述引脚固定在封壳上,所述封壳的侧壁开设有滑槽,所述滑槽上设置有对引脚进行保护的防护机构,所述防护机构包括:滑块,所述滑块的一侧滑动安装在滑槽的内壁,所述滑块的另一侧固定有保护罩,L型连接杆,所述L型连接杆的一端固定在保护罩的顶部,所述L型连接杆的另一端固定有保护板,清理机构,所述清理机构固定在保护罩的内侧。该MOS场效应晶体管,通过设置保护机构,进而当对晶体管进行存放和运输时,可以通过保护罩和保护板将引脚保护起来,防止引脚受到碰撞,造成引脚发生折断受损,影响晶体管后期的使用。

专利主权项内容

1.一种MOS场效应晶体管,包括封壳(1)、引脚(2)和封壳基板(14),其特征在于:所述封壳(1)的内壁放置有封壳基板(14),所述封壳基板(14)的侧壁固定有引脚(2),所述引脚(2)贯穿封壳(1)的侧壁,且贯穿处贴合,所述封壳基板(14)的侧壁固定有固定座(15),所述固定座(15)贯穿封壳(1)的右侧,所述封壳(1)的侧壁设置有限位机构(16),所述封壳(1)的侧壁开设有滑槽(3),所述封壳基板(14)的外壁固定有芯片(18),所述引脚(2)上固定有铜铝转接片(19),所述芯片(18)与铜铝转接片(19)之间通过键合丝(20)进行固定连接,所述滑槽(3)上设置有对引脚(2)进行保护的防护机构(4),所述防护机构(4)包括:滑块(401),所述滑块(401)的一侧滑动安装在滑槽(3)的内壁,所述滑块(401)的另一侧固定有保护罩(402),所述保护罩(402)上设置有传动机构(409);L型连接杆(407),所述L型连接杆(407)的一端固定在保护罩(402)的顶部,所述L型连接杆(407)的另一端固定有保护板(408);清理机构(406),所述清理机构(406)固定在保护罩(402)的内侧,所述清理机构(406)包括连接块(4061),所述连接块(4061)固定在保护罩(402)的内侧,所述连接块(4061)的侧壁固定有套筒(4062),所述套筒(4062)的内壁滑动安装有套杆(4063),所述套杆(4063)的端点固定有连接弹簧(4066),所述连接弹簧(4066)远离套杆(4063)的一侧固定在套筒(4062)的内壁,所述连接块(4061)上设置有敲击机构(13)。