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半导体陶瓷基板退钛设备

申请号: CN202420712757.2
申请人: 深圳市虹喜科技发展有限公司
更新日期: 2026-03-24

专利详细信息

项目 内容
专利名称 半导体陶瓷基板退钛设备
专利类型 实用新型
申请号 CN202420712757.2
申请日 2024/4/8
公告号 CN222119395U
公开日 2024/12/6
IPC主分类号 C23F1/08
权利人 深圳市虹喜科技发展有限公司
发明人 王沛丰; 吴旭明; 蔡良胜; 杨雪荣; 陈阳
地址 广东省深圳市龙岗区龙岗街道龙西社区李屋村大发新区连心路24号A栋六层601号

摘要文本

本实用新型公开了半导体陶瓷基板退钛设备,涉及金属材料的化学法蚀刻技术领域,半导体陶瓷基板退钛设备,包括退钛操作台,所述退钛操作台的顶端设置有蚀刻设备,退钛操作台的顶端开设有滑槽,滑槽的内部转动连接有螺纹杆,螺纹杆的外表面螺纹套接有滑块,滑块的顶端固定连接有定位板,定位板的顶端开设有固定槽,固定槽的内部设置有固定组件,通过第一夹板与半圆夹块的配合使用,能够使半圆夹块在第一夹板的一侧灵活进行拆卸,进而能够针对方形或者圆形的半导体陶瓷基板进行固定,同时半圆夹块的拆装较为便捷,能够方便工作人员更方便调节第一夹板,从而使该退钛设备装置的适用性得到提高。。

专利主权项内容

1.半导体陶瓷基板退钛设备,包括退钛操作台(1),其特征在于:所述退钛操作台(1)的顶端设置有蚀刻设备(2),退钛操作台(1)的顶端开设有滑槽(3),滑槽(3)的内部转动连接有螺纹杆(11),螺纹杆(11)的外表面螺纹套接有滑块(4),滑块(4)的顶端固定连接有定位板(5),定位板(5)的顶端开设有固定槽(6),固定槽(6)的内部设置有固定组件。 ()