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半导体结构
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420498959.1 |
| 申请日 | 2024/3/14 |
| 公告号 | CN222106720U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 张峰铭; 林京毅 |
| 地址 | 中国台湾新竹 |
摘要文本
一种半导体结构，包括设置于一基底上且隔开的第一及第二垂直堆叠的多个通道构件、分别包围第一及第二垂直堆叠的通道构件的各个通道构件的第一及第二栅极堆叠。以及设置于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间，并与之直接接触且延伸于基底内的一第一隔离结构。第一栅极堆叠通过第一隔离结构与第二栅极堆叠隔离，且在俯视角度中，第一隔离结构、第一栅极堆叠及第二栅极堆叠沿同一方向纵向延伸。
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一第一垂直堆叠的多个通道构件，设置于一基底上；
一第一栅极堆叠，包围该第一垂直堆叠的多个所述通道构件的各个通道构件；
多个第一源极/漏极区特征部件，耦接至该第一垂直堆叠的多个所述通道构件并与该第一栅极堆叠相邻；
一第二垂直堆叠的多个通道构件，设置于该基底上并与该第一垂直堆叠的多个所述通道构件隔开；
一第二栅极堆叠，包围该第二垂直堆叠的多个所述通道构件的各个通道构件；
多个第二源极/漏极区特征部件，耦接至该第二垂直堆叠的多个所述通道构件并与该第二栅极堆叠相邻；以及
一第一隔离结构，设置于该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠之间，并与之直接接触且延伸于该基底内，
其中该第一栅极堆叠通过该第一隔离结构与该第二栅极堆叠隔离，且其中在俯视角度中，该第一隔离结构、该第一栅极堆叠及该第二栅极堆叠沿同一方向纵向延伸。