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一种可提高SAW谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构
申请人信息
- 申请人:西安建筑科技大学
- 申请人地址:710055 陕西省西安市雁塔路13号
- 发明人: 西安建筑科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种可提高SAW谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420799556.0 |
| 申请日 | 2024/4/17 |
| 公告号 | CN222107915U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H03H9/25 |
| 权利人 | 西安建筑科技大学 |
| 发明人 | 李丽霞; 柴晨阳; 同志学; 张会强 |
| 地址 | 陕西省西安市碑林区雁塔路13号 |
摘要文本
本实用新型公开了一种可提高SAW谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构,为由若干单胞结构组成的阵列,每个单胞结构包括上层的两个大小尺寸不同的类花瓣形椭圆锥柱一、类花瓣形椭圆锥柱二一级下层的半无限四棱柱,所述半无限四棱柱外围有四个凸台平面;阵列为二维周期排列,半无限四棱柱沿二维x方向和y方向通过凸台平面连接,经过x,y方向上周期性分布形成具有半无限基底的六边形结构。本实用新型通过改变微柱的高度,以及微柱上椭圆的长短轴大小,来打破系统晶格对称性,利用拓扑绝缘体的声传播特性,在宽频带下声波传输的低损耗、高鲁棒性及高灵活性,实现SAW谐振器的高性能。
专利主权项内容
1.一种可提高SAW谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构,其特征在于,为由若干单胞结构组成的阵列,每个单胞结构包括上层的两个大小尺寸不同的类花瓣形椭圆锥柱一(1)、类花瓣形椭圆锥柱二(2)一级下层的半无限四棱柱(3),所述半无限四棱柱(3)外围有四个凸台平面(4);
阵列为二维周期排列,半无限四棱柱(3)沿二维x方向和y方向通过凸台平面(4)连接,经过x,y方向上周期性分布形成具有半无限基底的六边形结构。